特點(diǎn)：

• 廣泛應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路中

• 損耗小，內(nèi)部溫升小

• 優(yōu)異的阻燃性能

• 適合作為IGBT的吸收電容

技術(shù)要求：

1. 引用標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 14579 (IEC 60384-17)

2. 氣候類(lèi)別：40/85/56

3. 額定溫度：85℃

4. 工作溫度范圍（外殼）：-40℃~85℃

5. 最高允許環(huán)境溫度：70℃

6. 額定電壓：630VDC~2000VDC

7. 電容量范圍：0.22uf~9.9uf

8. 電容量偏差：±5%(J), ±10%(K), ±20%(M)

9. 耐電壓：1.6Ur (10s)

10. 損耗角正切：<0.0005 (20℃，1KHz)

11. 絕緣電阻：<100 000MΩ  Cr<0.33uf

                                  >30 000s  Cr>0.33uf  (20℃,100V，1min)